存储元件及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种存储元件及其制造方法，该存储元件包括：衬底、叠层结构、多晶硅层、垂直通道结构以及电荷存储结构。叠层结构配置在衬底上。叠层结构包括交替叠层的多个介电层与多个导体层。多晶硅层配置在衬底与叠层结构之间。垂直通道结构贯穿叠层结构与多晶硅层。电荷存储结构至少配置在垂直通道结构与多个导体层之间。
基本信息
专利标题 ：
存储元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512494A
申请号 ：
CN202110237405.7
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2021-03-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吕函庭李冠儒
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
任岩
优先权 ：
CN202110237405.7
主分类号 ：
H01L27/11582
IPC分类号 ：
H01L27/11582 H01L27/11568 H01L27/11556 H01L27/11521
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11582
申请日 : 20210303
申请日 : 20210303
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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