半导体存储元件、相变存储元件及其制造方法

专利权的终止

摘要

一种相变存储元件，包括基底、下电极、第一、第二、第三介电层、杯状加热电极、上电极以及相变材料间隙壁。其中，下电极形成于基底内。第一介电层位于基底上，且其中有与下电极相接触的杯状加热电极。条状的第二与第三介电层分别以不同方向排列于基底上，其中每一第二与第三介电层覆盖杯状加热电极所围的部分面积，且第三介电层叠于第二介电层上。而上电极是位于第三介电层上，其中由每一第三介电层与其上的上电极组成一个堆栈结构。相变材料间隙壁则是位于上述堆栈结构的侧壁，并与杯状加热电极及上电极呈物理及电接触。

基本信息

专利标题：

半导体存储元件、相变存储元件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1992326A

申请号：

CN200510137454.4

公开（公告）日：

2007-07-04

申请日：

2005-12-30

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陈维恕

申请人：

财团法人工业技术研究院

申请人地址：

台湾省新竹县竹东镇中兴路四段195号

代理机构：

北京连和连知识产权代理有限公司

代理人：

王昕

优先权：

CN200510137454.4

主分类号：

H01L27/24

IPC分类号：

H01L27/24