相变化存储元件及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种相变化存储元件及其制造方法，主要是将相变层刻蚀成一锥形结构，并将相变层上的介电层平坦化，直至露出锥形结构的顶端，由显露出的锥形结构的顶端与加热电极接触。如此一来，将相变层的顶端露出的面积控制在极小尺寸内，即可缩小相变层与加热电极的接触面积，进而降低其操作电流。
基本信息
专利标题 ：
相变化存储元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101000944A
申请号 ：
CN200610000272.7
公开（公告）日 ：
2007-07-18
申请日 ：
2006-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许宏辉李乾铭王文翰李敏鸿赵得胜卓言陈颐承陈维恕
申请人 ：
财团法人工业技术研究院
申请人地址 ：
中国台湾新竹县
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
梁挥
优先权 ：
CN200610000272.7
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 H01L27/24
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法律状态
2018-02-27 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20060110
授权公告日 : 20100714
终止日期 : 20170110
申请日 : 20060110
授权公告日 : 20100714
终止日期 : 20170110
2010-07-14 ：
授权
2007-09-12 ：
实质审查的生效
2007-07-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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