阵列元件的制造方法、制造装置及存储介质
公开
摘要
本发明涉及一种阵列元件的制造方法、制造装置及存储介质。阵列元件的制造方法包括：在晶片上形成多个光学元件的工序；检查所述多个光学元件的工序；基于所述检查的结果而以得到仅包含所述多个光学元件中的所述检查中的良品的阵列元件的方式决定划片线的工序；及沿着所述划片线对所述晶片进行划片而形成所述阵列元件的工序。
基本信息
专利标题 ：
阵列元件的制造方法、制造装置及存储介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300948A
申请号 ：
CN202111148577.3
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
久保田良辅
申请人 ：
住友电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府大阪市
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
任天诺
优先权 ：
CN202111148577.3
主分类号 ：
H01S5/42
IPC分类号 ：
H01S5/42 H01S5/00
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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