存储元件及其制造方法
公开
摘要
本发明公开了一种存储元件及其制造方法，其中，该存储元件包括：衬底、叠层结构、多个接垫以及保护层。衬底具有阵列区与阶梯区。叠层结构配置在衬底上。叠层结构包括交替叠层的多个介电层与多个导体层。接垫配置在阶梯区的衬底上。接垫分别连接导体层，以形成阶梯结构。保护层配置在叠层结构上，以与最顶导体层接触。保护层的靠近最顶接垫处的顶面具有弧形轮廓。
基本信息
专利标题 ：
存储元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597212A
申请号 ：
CN202011432949.0
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王景弘李士勤郑宸语韩宗廷
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
张琛
优先权 ：
CN202011432949.0
主分类号 ：
H01L27/11521
IPC分类号 ：
H01L27/11521 H01L27/11556 H01L27/11568 H01L27/11582
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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