存储元件及其制造方法

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摘要

本发明涉及一种存储元件及其制造方法，所述存储元件包括基底与栅极结构。栅极结构位在基底上。栅极结构包括堆叠栅极以及位在堆叠栅极旁的选择栅极。选择栅极的最高顶面低于堆叠栅极的最高顶面。通过在现有的存储元件的堆叠栅极区域中形成堆叠栅极与选择栅极。在不增加栅极面积的情况下，本发明存储元件可具有高程序化效率、减少干扰、增加数据保持与循环耐久裕度、低功率消耗以及避免过度抹除等功效。

基本信息

专利标题：

存储元件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN107768373A

申请号：

CN201610666685.2

公开（公告）日：

2018-03-06

申请日：

2016-08-15

授权号：

CN107768373B

授权日：

2022-05-10

发明人：

庄哲辅廖修汉蔡耀庭

申请人：

华邦电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾台中市大雅区科雅一路8号

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司

代理人：

马雯雯

优先权：

CN201610666685.2

主分类号：

H01L27/11521

IPC分类号：

H01L27/11521 H01L29/788 H01L21/336