非易失性存储元件的制造方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种制造非易失性存储元件的方法。该方法改变共聚绝缘膜的膜性质，同时防止产生阱位置。在硅衬底112表面附近的沟道形成区上设置浮置栅101，设置共聚绝缘膜134使其与浮置栅101相接触，以及设置控制栅103使其与共聚绝缘膜134相接触并且使其与至少一部分浮置栅101相对。设置共聚绝缘膜134的工艺步骤进一步包括，在浮置栅101上形成共聚绝缘膜134使其与浮置栅101相接触的步骤，和在形成共聚绝缘膜134之后，将共聚绝缘膜134暴露到包含含氮的气体和氧的氛围中，以由此同时地进行共聚绝缘膜134的氮化和氧化的步骤。
基本信息
专利标题 ：
非易失性存储元件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832119A
申请号 ：
CN200610058920.4
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-03-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
真壁昌里子长谷川英司
申请人 ：
恩益禧电子股份有限公司
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
关兆辉
优先权 ：
CN200610058920.4
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/28 H01L21/31
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2015-04-29 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101607919086
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2006100589204
申请日 : 20060308
授权公告日 : 20100203
终止日期 : 20140308
号牌文件序号 : 101607919086
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2006100589204
申请日 : 20060308
授权公告日 : 20100203
终止日期 : 20140308
2011-01-05 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101058676609
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2006100589204
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本神奈川
号牌文件序号 : 101058676609
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2006100589204
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本神奈川
2010-02-03 ：
授权
2006-11-08 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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