非易失性存储单元与其制造方法

发明专利申请公布后的驳回

摘要

一种非易失性存储单元的制造方法，包括于基板上形成堆叠栅极结构，此堆叠栅极结构包括第一介电层、电荷储存层、第二介电层及导体层。然后，于此堆叠栅极结构侧壁形成保护层。之后，进行蚀刻工艺以移除用以形成堆叠栅极结构的预盖层，在此蚀刻工艺中，顶盖层与保护层的蚀刻率不同。由于在移除顶盖层之前，于堆叠栅极结构的侧壁上设置有保护层，因此用来移除预盖层的蚀刻工艺不会损伤到堆叠栅极结构中与顶盖层相似的材料。

基本信息

专利标题：

非易失性存储单元与其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1956156A

申请号：

CN200510114478.8

公开（公告）日：

2007-05-02

申请日：

2005-10-27

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

余旭升李俊鸿

申请人：

旺宏电子股份有限公司

申请人地址：

台湾省新竹县新竹科学工业园区力行路16号

代理机构：

北京连和连知识产权代理有限公司

代理人：

王昕

优先权：

CN200510114478.8

主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L21/336 H01L21/8239 H01L29/78 H01L27/105