操作具有非易失性存储单元与存储器阵列的方法
授权
摘要
本发明披露存储单元连同其阵列及操作方法，上述这些存储单元包含：半导体基板，其具有设置于该基板的表面下且由通道区分离的源极区及漏极区；隧道介电结构，其设置于该通道区上，该隧道介电结构包含具有小空穴穿隧势垒高度的至少一层；电荷储存层，其设置于该隧道介电结构上；绝缘层，其设置于该电荷储存层上；及栅极电极，其设置于该绝缘层上。
基本信息
专利标题 ：
操作具有非易失性存储单元与存储器阵列的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1848457A
申请号 ：
CN200610000205.5
公开（公告）日 ：
2006-10-18
申请日 ：
2006-01-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吕函庭
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹县新竹科学工业园区力行路16号
代理机构 ：
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 ：
王永红
优先权 ：
CN200610000205.5
主分类号 ：
H01L29/788
IPC分类号 ：
H01L29/788 H01L27/112 H01L27/115 H01L27/105
法律状态
2009-06-03 ：
授权
2008-02-20 ：
实质审查的生效
2006-10-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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