带有存储单元结构的非易失性半导体存储器
专利权的终止
摘要
公开了一种带有单位存储单元结构适用于高速操作和低电源电压的非易失性半导体存储器。该存储器包括其一端与相应位线相连的开关电路。该开关电路只在属于该开关电路的条被选择时才发送信号。带有与第一有源区不同浓度的第二有源区组成不同晶体管的源和漏区，第二有源区在存储条和位线被连接的位线接触区的衬底接触区处形成。第二有源区的杂质浓度低于第一有源区的杂质浓度。
基本信息
专利标题 ：
带有存储单元结构的非易失性半导体存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1098221A
申请号 ：
CN94103086.5
公开（公告）日 ：
1995-02-01
申请日 ：
1994-03-31
授权号 ：
CN1037722C
授权日 ：
1998-03-11
发明人 ：
李炯坤黄相基张哲雄高宁尉赵星熙
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
吴增勇
优先权 ：
CN94103086.5
主分类号 ：
G11C17/00
IPC分类号 ：
G11C17/00 G11C11/419
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C17/00
只可一次编程的只读存储器；半永久存储器，例如：可手动更换的信息卡
法律状态
2010-08-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101004438863
IPC(主分类) : G11C 17/00
专利号 : ZL941030865
申请日 : 19940331
授权公告日 : 19980311
号牌文件序号 : 101004438863
IPC(主分类) : G11C 17/00
专利号 : ZL941030865
申请日 : 19940331
授权公告日 : 19980311
1998-03-11 ：
授权
1996-01-24 ：
实质审查请求的生效
1995-02-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
