非易失性存储电路
公开
摘要
根据本发明的非易失性存储电路(10)提供有：存储信息的易失性存储单元(11)；非易失性存储单元(20)，通过存储操作将易失性存储单元中的信息写入到非易失性存储单元中，并通过恢复操作经由与存储操作时的存储路径不同的恢复路径将信息从非易失性存储单元读出到易失性存储单元(11)；接收电源供应并执行存储操作的驱动器单元(12，15)；以及在恢复操作期间切断对驱动器单元(12，15)的电源供应的开关单元(13，14，16，17)。
基本信息
专利标题 ：
非易失性存储电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114514580A
申请号 ：
CN202080071161.3
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2020-10-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
平贺启三
申请人 ：
索尼半导体解决方案公司
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人 ：
秦晨
优先权 ：
CN202080071161.3
主分类号 ：
G11C16/12
IPC分类号 ：
G11C16/12 G11C16/30 G11C16/32
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/10
编程或数据输入电路
G11C16/12
编程电压开关电路
法律状态
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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