非易失性半导体存储器装置及其擦除控制电路、方法
授权
摘要
本发明在擦除非易失性半导体存储器装置中的数据时以比公知技术高的准确度控制擦除电压。一种用于控制擦除电压的控制电路包括：斜率调整电路，通过控制步进电压、目标电压以及擦除电压的步进宽度来控制具有台阶形状的斜率。对于每一预定时钟脉冲控制信号，斜率调整电路基于步进电压及目标电压，以步进电压将擦除电压重复地增大至目标电压，并基于步进宽度对与步进宽度对应的每一时间间隔重复地进行计时，从而将时钟脉冲控制信号输出至擦除电压产生电路。
基本信息
专利标题 ：
非易失性半导体存储器装置及其擦除控制电路、方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111667869A
申请号 ：
CN201911134622.2
公开（公告）日 ：
2020-09-15
申请日 ：
2019-11-19
授权号 ：
CN111667869B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
马蒂亚斯.伊夫.吉尔伯特.培尔
申请人 ：
力晶积成电子制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李芳华
优先权 ：
CN201911134622.2
主分类号 ：
G11C16/14
IPC分类号 ：
G11C16/14 G11C16/34
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/10
编程或数据输入电路
G11C16/14
用于电擦除的电路，例如擦除电压开关电路
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2020-10-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/14
申请日 : 20191119
申请日 : 20191119
2020-09-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
