半导体存储器单元和存储器电路
授权
摘要
本公开涉及半导体存储器单元和存储器电路。一种方法可以用来对存储器单元进行不可逆地编程，存储器单元包括MOS晶体管，MOS晶体管具有通过沟道区域分离的第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，沟道区域邻近栅极区域。方法包括沿第一源极/漏极区域的宽度施加电流，以使第一源极/漏极区域的电阻率不可逆地增加。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器单元和存储器电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921724356.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-15
授权号 ：
CN210723027U
授权日 ：
2020-06-09
发明人 ：
P·加利R·勒蒂克
申请人 ：
意法半导体有限公司
申请人地址 ：
法国蒙鲁
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
李春辉
优先权 ：
CN201921724356.4
主分类号 ：
H01L27/112
IPC分类号 ：
H01L27/112 H01L23/48 G11C17/18
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
法律状态
2020-06-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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