半导体存储器、非易失性存储器
实质审查的生效
摘要
本发明的一实施方式能够提供能够抑制芯片面积增加的半导体存储器、非易失性存储器。根据一实施方式，半导体存储器(100)包括：存储器组(MG)，包括能够以3个以上的多个状态保持多位的数据的多个存储器元件(MC)；字线(WL)，连接于多个存储器元件；及第1电路(121)，将从外部控制器(200)接收到的1个外部地址变换为多个内部地址。存储器组能够保持的页面数据的第1页面尺寸比与外部地址对应的输入数据的第2页面尺寸小。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器、非易失性存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551460A
申请号 ：
CN202111346621.1
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
原德正柴田升
申请人 ：
铠侠股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
万利军
优先权 ：
CN202111346621.1
主分类号 ：
H01L27/11529
IPC分类号 ：
H01L27/11529 H01L27/11556 H01L27/11573 H01L27/11582
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11526
以外围电路区为特征的
H01L27/11529
包含单元选择晶体管的存储区的，例如，NAND
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11529
申请日 : 20211115
申请日 : 20211115
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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