一种非易失性半导体存储器，特别是“与非”结构的EEPROM，及一种对它的优化编程方法。该存储器包括：由一组串联存储单元构成的“与非”结构存储单元阵列，每个存储单元由电荷存储层和半导体基片上的控制栅极相迭而构成，并可通过电荷存储层与基片间的电荷互换实现电擦除，数据锁存电路LT；高电压源电路HV，电流源电路CS；程序检验电路PC；及程序状态检验电路PS。程序状态被优化并不受参数变化之影响，通过采用验证电位而避免过度编程，由于采用芯片内部验正功能自动优化编程，芯片的功能得到加强。无须外部控制，则整个系统性能亦被加强。此外，采用了已有的带页功能的闪烁存储器中的页寄存器PB，则本发明可用于已有的产品中。