在非易失性半导体存储器件中驱动编程操作的方法
授权
摘要
在一个实施例中，一种在非易失性半导体存储器件中驱动编程操作的方法可在编程周期和验证周期之间不对连接到要被编程的存储单元上的位线放电的情况下进行操作。这明显提高了编程速度并减少了电流损耗。
基本信息
专利标题 ：
在非易失性半导体存储器件中驱动编程操作的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1811982A
申请号 ：
CN200610006062.9
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2006-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李真烨
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
吕晓章
优先权 ：
CN200610006062.9
主分类号 ：
G11C7/12
IPC分类号 ：
G11C7/12 G11C7/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/10
输入/输出数据接口装置，例如：I/O数据控制电路、I/O数据缓冲器
G11C7/12
位线控制电路，例如，用于位线的驱动器、增强器、上拉电路、下拉电路、预充电电路、均衡电路
法律状态
2011-04-06 ：
授权
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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