半导体存储器件及其操作方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及半导体存储器件及其操作方法。根据本公开的实施方式,半导体存储器件包括:第一缓冲电路,适用于根据第一控制信号接收命令/地址信号以输出第一缓冲信号;第一设置/保持电路,适用于根据第二控制信号使第一缓冲信号延迟以输出内部命令/地址信号;命令解码器,适用于根据第三控制信号和内部时钟信号通过对内部命令/地址信号解码来生成多个内部信号;以及定时控制器,适用于使时钟使能信号延迟以生成第一至第三控制信号,并且控制第一至第三控制信号以在进入掉电模式时以第一顺序去激活,并且在退出掉电模式时以不同于第一顺序的第二顺序激活。
基本信息
专利标题 :
半导体存储器件及其操作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114496016A
申请号 :
CN202110324419.2
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2021-03-26
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
郭鲁侠
申请人 :
爱思开海力士有限公司
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京弘权知识产权代理有限公司
代理人 :
许伟群
优先权 :
CN202110324419.2
主分类号 :
G11C11/406
IPC分类号 :
G11C11/406 G11C5/06 G11C7/06 G06F1/06 G06F3/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的,例如:应用多孔磁芯存储器;应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的,即,动态单元的
G11C11/406
刷新或电荷再生周期的管理或控制
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/406
申请日 : 20210326
申请日 : 20210326
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载