用于处理行锤刷新操作的存储器设备及其操作方法
公开
摘要
一种存储器设备，包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元行；地址缓冲器，配置为存储所述多个存储器单元行的目标行的地址，其中目标行的地址已被重复访问；最少访问输出电路，配置为当目标行之中有多个行具有相同的最少访问计数时，基于选择命令值选择具有相同的最少访问计数的所述多个行中的任何一个作为最少访问行，并配置为输出最少访问行的索引值；以及控制电路，配置为输出命令，该命令指示用访问行的地址替换与最少访问行的索引值对应的地址并将访问行的地址存储在地址缓冲器中。
基本信息
专利标题 ：
用于处理行锤刷新操作的存储器设备及其操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267390A
申请号 ：
CN202111085491.0
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-09-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔孝真高在元金亨泰朴润植孙贤植
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
张婧
优先权 ：
CN202111085491.0
主分类号 ：
G11C11/406
IPC分类号 ：
G11C11/406
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
G11C11/406
刷新或电荷再生周期的管理或控制
法律状态
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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