在自刷新模式期间附加刷新操作的执行
授权
摘要
实施例通常涉及在自刷新模式期间附加刷新操作的执行。存储器设备的实施例包括：一个或多个存储体；模式寄存器组，该模式寄存器组包括第一组模式寄存器位；以及用来为存储器设备提供控制操作的控制逻辑，所述操作包括在刷新信用模式下针对一个或多个存储体的操作。该控制逻辑用来响应于自刷新命令的接收来执行一个或多个额外刷新周期，该自刷新命令用来提供当前刷新状态信息，并且用来在执行一个或多个额外刷新周期之后关于经修改的刷新状态在第一组模式寄存器位中存储信息。
基本信息
专利标题 ：
在自刷新模式期间附加刷新操作的执行
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108369819A
申请号 ：
CN201680072231.0
公开（公告）日 ：
2018-08-03
申请日 ：
2016-10-31
授权号 ：
CN108369819B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
K.S.拜因斯S.富克斯J.B.哈尔伯特
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
臧永杰
优先权 ：
CN201680072231.0
主分类号 ：
G11C11/406
IPC分类号 ：
G11C11/406 G06F13/16
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
G11C11/406
刷新或电荷再生周期的管理或控制
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2019-01-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/406
申请日 : 20161031
申请日 : 20161031
2018-08-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
