用于存储器的刷新模式及存取模式
授权
摘要
本发明提供与实施用于存储器的刷新模式及存取模式相关的设备及方法。所述刷新模式及所述存取模式可用来配置存储器部分。所述存储器部分可对应于存储器受保护区。所述刷新模式及所述存取模式可能影响存储在所述存储器受保护区中的数据的安全级别。
基本信息
专利标题 ：
用于存储器的刷新模式及存取模式
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111833937A
申请号 ：
CN202010298931.X
公开（公告）日 ：
2020-10-27
申请日 ：
2020-04-16
授权号 ：
CN111833937B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
N·J·迈尔
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN202010298931.X
主分类号 ：
G11C11/406
IPC分类号 ：
G11C11/406 G11C11/408 G11C8/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
G11C11/406
刷新或电荷再生周期的管理或控制
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2020-11-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/406
申请日 : 20200416
申请日 : 20200416
2020-10-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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