电子存储器设备及用于存取存储器单元的方法
授权
摘要

本申请案涉及电子存储器设备及存取存储器单元的方法。根据本发明的存储器装置的感测组件可选择性地在所述感测组件的与相对较高电压信号(例如,与存取铁电随机存取存储器FeRAM单元相关联的信号)相关联的部分中采用具有相对高电压隔离特性的组件,且在所述感测组件的与相对较低电压信号(例如,根据一些存储器架构的输入/输出信号)相关联的部分中采用具有相对低电压隔离特性的组件。电压隔离特性可包含隔离电压、激活阈值电压、电绝缘程度以及其它,且可将此类特性称为标称值或阈值。在一些实例中,所述感测组件可包含晶体管,且所述电压隔离特性可至少部分地基于所述感测组件的每一部分中的所述晶体管的栅极绝缘厚度。

基本信息
专利标题 :
电子存储器设备及用于存取存储器单元的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN109407816A
申请号 :
CN201810924300.7
公开(公告)日 :
2019-03-01
申请日 :
2018-08-14
授权号 :
CN109407816B
授权日 :
2022-05-24
发明人 :
永田亨一
申请人 :
美光科技公司
申请人地址 :
美国爱达荷州
代理机构 :
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 :
王龙
优先权 :
CN201810924300.7
主分类号 :
G06F1/3234
IPC分类号 :
G06F1/3234  G11C11/22  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算;推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F1/3234
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法律状态
2022-05-24 :
授权
2019-03-26 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 1/3234
申请日 : 20180814
2019-03-01 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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