用于包含铁电存储器单元及电介质存储器单元的存储器的设备及...
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摘要

本发明揭示用于包含铁电存储器单元及电介质存储器单元的存储器的设备及方法。所述设备包含:第一存储器单元,其包含经配置以存储表示互补逻辑值的电荷的第一铁电电容器及第二铁电电容器;第二存储器单元,其包含经配置以存储表示互补逻辑值的电荷的第一电介质电容器及第二电介质电容器;第一位线,其可选择地耦合到所述第一存储器单元的所述第一铁电电容器及所述第二存储器单元的所述第一电介质电容器;第二位线,其可选择地耦合到所述第一存储器单元的所述第二铁电电容器及所述第二存储器单元的所述第二电介质电容器;及感测放大器,其耦合到所述第一位线及所述第二位线。

基本信息
专利标题 :
用于包含铁电存储器单元及电介质存储器单元的存储器的设备及方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110914983A
申请号 :
CN201880046438.X
公开(公告)日 :
2020-03-24
申请日 :
2018-07-10
授权号 :
CN110914983B
授权日 :
2022-04-19
发明人 :
S·J·德尔纳M·A·肖尔
申请人 :
美光科技公司
申请人地址 :
美国爱达荷州
代理机构 :
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 :
王龙
优先权 :
CN201880046438.X
主分类号 :
H01L27/11514
IPC分类号 :
H01L27/11514  H01L27/11597  H01L27/11556  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器;其多步骤制造方法
H01L27/11502
具有铁电体存储器电容器的
H01L27/11514
以三维布置为特征的,例如,单元胞在不同的高度层
法律状态
2022-04-19 :
授权
2020-04-17 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11514
申请日 : 20180710
2020-03-24 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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