用于半导体存储器的多厚度电介质
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明提供一种工艺，所述工艺提供用于存储器阵列和用于与所述存储器阵列在同一衬底上的某些外围电路的具有第一厚度的栅极介电层。高压外围电路具备具有第二厚度的栅极介电层。低压外围电路具备具有第三厚度的栅极介电层。所述工艺为栅极介电层提供保护以免受后续工艺步骤的影响。浅沟槽隔离使存储器阵列单元极小，因此提供高存储密度。
基本信息
专利标题 ：
用于半导体存储器的多厚度电介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101147258A
申请号 ：
CN200580042256.8
公开（公告）日 ：
2008-03-19
申请日 ：
2005-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
东谷正昭图安·法姆
申请人 ：
桑迪士克股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
刘国伟
优先权 ：
CN200580042256.8
主分类号 ：
H01L27/115
IPC分类号 ：
H01L27/115 H01L27/105 H01L21/8247
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
法律状态
2012-05-30 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101365729154
IPC(主分类) : H01L 27/115
专利申请号 : 2005800422568
公开日 : 20080319
号牌文件序号 : 101365729154
IPC(主分类) : H01L 27/115
专利申请号 : 2005800422568
公开日 : 20080319
2008-05-14 ：
实质审查的生效
2008-03-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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