半导体存储器
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
提供了一种包括半导体衬底(1)和多个存储单元(19)的非易失性存储器(30)和制造这种存储器的方法。每个存储单元(19)包括电荷俘获部件(5)、栅叠层(20)、氮化物隔层(10)和电绝缘部件(21)。电荷俘获部件(5)被布置在半导体衬底(1)上，并包括夹在底部氧化物层(2)和顶部氧化物层(4)之间的氮化物层(3)，电荷俘获部件(5)具有两个彼此相对的横向侧壁(24)。栅叠层(20)被布置在电荷俘获部件(5)的顶部，栅叠层具有两个彼此相对的横向侧壁(25)。电绝缘部件(21)被布置在电荷俘获部件(5)的相对侧壁(24)上，并覆盖了该电荷俘获部件(5)的侧壁(24)。氮化物隔层(10)覆盖了电绝缘部件(21)，并且被布置在栅叠层(20)的相对侧壁上(25)和电绝缘部件(21)上。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1848458A
申请号 ：
CN200610071196.9
公开（公告）日 ：
2006-10-18
申请日 ：
2006-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
G·魏因C·路德维希C·A·克莱因特J·－U·萨赫泽M·克劳泽J·德佩
申请人 ：
英飞凌科技股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
王庆海
优先权 ：
CN200610071196.9
主分类号 ：
H01L29/792
IPC分类号 ：
H01L29/792 H01L27/115 H01L21/336 H01L21/8247
法律状态
2009-07-15 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-12-13 ：
实质审查的生效
2006-10-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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