半导体存储器件和半导体存储器件测试方法
专利权的终止
摘要

在将故障地址写入地址寄存器期间,当要执行大于预先提供的反熔丝的数目的多个故障地址写入时,或者当要执行大于预先提供的反熔丝的数目的多个故障地址的存储处理时,传送指示不能执行写入或存储操作的溢出信号作为输出,并且向外部报告不再可以利用反熔丝来补救缺陷。

基本信息
专利标题 :
半导体存储器件和半导体存储器件测试方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1838327A
申请号 :
CN200610068082.9
公开(公告)日 :
2006-09-27
申请日 :
2006-03-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
中川宏大石贯时
申请人 :
尔必达存储器股份有限公司
申请人地址 :
日本东京
代理机构 :
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 :
朱进桂
优先权 :
CN200610068082.9
主分类号 :
G11C17/18
IPC分类号 :
G11C17/18  G11C29/04  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C17/18
辅助电路,例如:用于写入存储器的
法律状态
2017-05-10 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101719358413
IPC(主分类) : G11C 17/18
专利号 : ZL2006100680829
申请日 : 20060324
授权公告日 : 20090610
终止日期 : 20160324
2013-09-18 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101660857762
IPC(主分类) : G11C 17/18
专利号 : ZL2006100680829
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 尔必达存储器股份有限公司
变更后权利人 : PS4拉斯口有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 卢森堡卢森堡市
登记生效日 : 20130829
2009-06-10 :
授权
2006-11-22 :
实质审查的生效
2006-09-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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