半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法
实质审查的生效
摘要
本公开的实施例涉及半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法。半导体存储器设备包括存储器块和外围电路。存储器块包括正常页和缓冲器页。正常页中的每个正常页包括存储N位数据的存储器单元。缓冲器页中的每个缓冲器页包括存储一位数据的存储器单元。外围电路接收第一页数据，并且在第一缓冲器页中对第一页数据执行单级单元(SLC)编程。另外，外围电路接收第二页数据，并且在第二缓冲器页中对第二页数据执行SLC编程。另外，外围电路基于分别在第一和第二缓冲器页中编程的第一和第二页数据，对正常页执行多级编程操作。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388037A
申请号 ：
CN202110609567.9
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-06-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金在雄
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
黄倩
优先权 ：
CN202110609567.9
主分类号 ：
G11C16/10
IPC分类号 ：
G11C16/10 G11C16/08 G11C16/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/10
编程或数据输入电路
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/10
申请日 : 20210601
申请日 : 20210601
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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