半导体存储器设备及其操作方法
公开
摘要
一种半导体存储器设备包括存储器块和控制逻辑。存储器块包括多个存储器单元。控制逻辑控制外围电路，以对多个存储器单元中的被选择的存储器单元执行读取操作。读取操作包括位线预充电操作、评估操作和感测操作。控制逻辑被配置成：控制外围电路，以使耦合到存储器块的公共源极线在位线预充电操作的时段的至少部分时段期间浮置，在位线预充电操作中，耦合到存储器块的多个位线的电压增加。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器设备及其操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114596905A
申请号 ：
CN202110776578.6
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2021-07-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔亨进
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
罗利娜
优先权 ：
CN202110776578.6
主分类号 ：
G11C16/24
IPC分类号 ：
G11C16/24 G11C16/08 G11C16/30
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/24
位线控制电路
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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