半导体存储器件
专利权的终止
摘要
一种半导体存储器，包括一由双极晶体管构成的电流驱动晶体管，其连接到相应的位线以增加位线电流。该电流驱动晶体管的收集极由一个接地的阱构成，基极由二个相邻选行晶体管的公共漏区构成。其发射极是一与第一层间隔离层及第二层间隔离层分开排列的多晶硅层，它通过接触孔同时被接到基区和位线。该发射极是形成在作为二个相邻选行晶体管公共漏区的基区中的一个掺杂区。这种存储器件具有提高运行速度和提高集成度的能力。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1171599A
申请号 ：
CN97102929.6
公开（公告）日 ：
1998-01-28
申请日 ：
1994-03-04
授权号 ：
CN1149579C
授权日 ：
2004-05-12
发明人 ：
崔正达徐康德
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN97102929.6
主分类号 ：
G11C11/34
IPC分类号 ：
G11C11/34 H01L27/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
法律状态
2014-04-16 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101581484451
IPC(主分类) : G11C 11/34
专利号 : ZL971029296
申请日 : 19940304
授权公告日 : 20040512
期满终止日期 : 20140304
号牌文件序号 : 101581484451
IPC(主分类) : G11C 11/34
专利号 : ZL971029296
申请日 : 19940304
授权公告日 : 20040512
期满终止日期 : 20140304
2004-05-12 ：
授权
1998-01-28 ：
公开
1997-12-24 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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