数据输入缓冲器和包括数据输入缓冲器的半导体装置
实质审查的生效
摘要
一种半导体装置包括数据输入缓冲器，该数据输入缓冲器被配置为在写入操作部分期间通过接收经由数据输入/输出单元输入的数据来生成写入数据，并且该数据输入缓冲器被配置为在读取操作部分期间通过检测数据I/O单元的电压电平来生成输出电平检测信号。
基本信息
专利标题 ：
数据输入缓冲器和包括数据输入缓冲器的半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388010A
申请号 ：
CN202110478507.8
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-04-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄珍夏郑尧韩安根善
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
黄倩
优先权 ：
CN202110478507.8
主分类号 ：
G11C7/10
IPC分类号 ：
G11C7/10 G11C11/4093 G11C11/34 G11C5/14 G06F3/06 G06F1/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/10
输入/输出数据接口装置，例如：I/O数据控制电路、I/O数据缓冲器
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 7/10
申请日 : 20210430
申请日 : 20210430
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
