半导体装置和包括半导体装置的数据存储系统
公开
摘要
提供了一种半导体装置和包括半导体装置的数据存储系统。所述半导体装置包括第一基底结构和第二基底结构，第一基底结构包括第一基底、电路器件、第一互连线、位于第一互连线的上表面上的接合金属层以及位于第一互连线的上表面上且位于接合金属层的横向表面上的第一接合绝缘层，第二基底结构位于第一基底结构上并且包括第二基底、栅电极、沟道结构、第二互连线、接合过孔和第二接合绝缘层，接合过孔连接到第二互连线和接合金属层、并且具有倾斜为使得接合过孔的宽度随着接近第一基底结构而增大的横向表面，第二接合绝缘层与接合过孔的至少下部接触。接合金属层包括虚设接合金属层，虚设接合金属层不连接到接合过孔并且与第二接合绝缘层接触。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置和包括半导体装置的数据存储系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446988A
申请号 ：
CN202111260065.6
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄允照金志泳成政泰崔峻荣
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘林果
优先权 ：
CN202111260065.6
主分类号 ：
H01L27/11575
IPC分类号 ：
H01L27/11575
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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