半导体器件和包括其的数据存储系统
公开
摘要
提供了一种半导体器件和一种包括其的数据存储系统。所述半导体器件包括：衬底；水平导电层，设置在所述衬底上；支撑层，设置在所述水平导电层上；堆叠结构，包括在垂直于所述支撑层的上表面的方向上彼此间隔开地堆叠的多个栅电极以及与所述多个栅电极交替地堆叠的多个层间绝缘层；沟道结构，穿过所述堆叠结构；分隔结构，穿过所述水平导电层、所述支撑层和所述堆叠结构并在第一方向上延伸；以及导电图案，设置在所述水平导电层与所述多个层间绝缘层中的最下面的层间绝缘层之间的水平高度上，并且从所述分隔结构的侧表面向所述分隔结构的外部突出。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件和包括其的数据存储系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300479A
申请号 ：
CN202111082495.3
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-09-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵源锡李瑟妃
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市立方律师事务所
代理人 ：
李娜
优先权 ：
CN202111082495.3
主分类号 ：
H01L27/11582
IPC分类号 ：
H01L27/11582 H01L27/11573 H01L27/11556 H01L27/11526
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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