本发明构思涉及一种半导体器件和包括其的数据存储系统。该半导体器件包括具有第一区、第二区和第三区的衬底，且栅电极在第一区和第二区中彼此间隔开。该半导体器件还包括：与栅电极交替堆叠的层间绝缘层；穿过第一区中的栅电极的沟道结构；穿过第二区中的栅电极的第一虚设结构，第一虚设结构与第一区相邻设置；穿过第二区中的栅电极的第二虚设结构，第二虚设结构与第三区相邻设置并具有与第一虚设结构不同的形状；以及穿过第三区中的栅电极的支撑结构。每个第二虚设结构的尺寸大于每个支撑结构的尺寸。