半导体器件及包括该半导体器件的数据存储系统
公开
摘要
一种半导体器件，包括：图案结构；堆叠结构，包括在所述图案结构上在第一区域中堆叠并延伸到第二区域中的栅极层；存储器竖直结构，在所述第一区域中穿透所述堆叠结构；栅极接触插塞，在所述第二区域中电连接到所述栅极层；以及第一外围接触插塞，与所述栅极层间隔开，所述栅极层包括第一栅极层，所述栅极接触插塞包括电连接到所述第一栅极层的第一栅极接触插塞，所述第一栅极接触插塞和所述第一外围接触插塞的侧表面具有不同数量的上弯曲部，并且所述第一栅极接触插塞的侧表面的上弯曲部的数量大于所述第一外围接触插塞的侧表面的上弯曲部的数量。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及包括该半导体器件的数据存储系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446992A
申请号 ：
CN202111280096.8
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-10-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金承允成玎镛千相勋金智焕郑圣熙韩智勋
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李敬文
优先权 ：
CN202111280096.8
主分类号 ：
H01L27/11582
IPC分类号 ：
H01L27/11582 H01L27/11568
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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