半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统
公开
摘要
一种半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统，所述半导体器件包括：第一结构，包括外围电路；以及第二结构，包括：图案结构；上绝缘层；堆叠结构，所述堆叠结构在第一结构与图案结构之间，并且包括彼此间隔开的第一堆叠部和第二堆叠部，第一堆叠部和第二堆叠部分别包括交替堆叠的水平导电层和层间绝缘层；分离结构，穿透堆叠结构；存储器竖直结构，穿透第一堆叠部；以及接触结构，穿透第二堆叠部、图案结构和上绝缘层，其中，接触结构包括：下接触插塞，至少穿透第二堆叠部；以及上接触插塞，接触下接触插塞并且向上延伸以穿透图案结构和上绝缘层。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497070A
申请号 ：
CN202111337276.5
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-11-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安在昊金智源黄盛珉任峻成成锡江
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
孙尚白
优先权 ：
CN202111337276.5
主分类号 ：
H01L27/11582
IPC分类号 ：
H01L27/11582 H01L27/11573 H01L21/768
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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