半导体器件和包括其的数据存储系统
公开
摘要
提供了半导体器件和包括其的数据存储系统，所述半导体器件包括：衬底；下堆叠结构，所述下堆叠结构位于所述衬底上，并包括彼此分开地堆叠的下栅电极；上堆叠结构，所述上堆叠结构位于所述下堆叠结构上，并包括彼此分开地堆叠的上栅电极；下沟道结构，所述下沟道结构穿透所述下堆叠结构，并包括下沟道层和位于所述下沟道层上的下沟道绝缘层，所述下沟道绝缘层围绕下缝隙；以及上沟道结构，所述上沟道结构穿透所述上堆叠结构并包括上沟道层和位于所述上沟道层上的上沟道绝缘层，所述上沟道绝缘层围绕上缝隙。所述下缝隙的宽度大于所述上缝隙的宽度，并且所述下沟道绝缘层的厚度大于所述上沟道绝缘层的厚度。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件和包括其的数据存储系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464625A
申请号 ：
CN202111290186.5
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-11-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
具池谋康范圭黄盛珉
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市立方律师事务所
代理人 ：
李娜
优先权 ：
CN202111290186.5
主分类号 ：
H01L27/11556
IPC分类号 ：
H01L27/11556 H01L27/11521 H01L27/11582 H01L27/11568
法律状态
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
