半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统
公开
摘要
提供了半导体器件和包括其的数据存储系统。所述半导体器件包括：半导体衬底，具有彼此相对的第一表面和第二表面；背侧绝缘层，位于半导体衬底的所述第二表面下方；外部输入/输出导电图案，位于背侧绝缘层下方；电路器件，包括栅电极和源极/漏极区，电路器件位于半导体衬底的第一表面上；内部输入/输出导电图案，位于半导体衬底的第一表面上，内部输入/输出导电图案具有与栅电极的至少一部分设置在同一水平高度上的至少一部分；贯通电极结构，穿透半导体衬底和背侧绝缘层，并电连接到内部输入/输出导电图案和外部输入/输出导电图案；以及存储单元阵列区域，在半导体衬底的第一表面上设置在比电路器件高的水平高度上。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520232A
申请号 ：
CN202111357585.9
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2021-11-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安在昊金智源黄盛珉任峻成成锡江
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市立方律师事务所
代理人 ：
李娜
优先权 ：
CN202111357585.9
主分类号 ：
H01L27/11573
IPC分类号 ：
H01L27/11573 H01L27/11582
法律状态
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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