半导体器件和包括该半导体器件的海量数据存储系统
公开
摘要
一种半导体器件，包括：下电路图案，位于下基板上；下接合图案，位于下电路图案上，所述下接合图案包括导电材料并电连接到下电路图案；上接合图案，位于下接合图案上并接触下接合图案，并且包括导电材料；无源器件，位于上接合图案上，并且包括导电材料且接触上接合图案中的一个；栅电极结构，位于无源器件上，包括在第一方向上彼此间隔开的栅电极，每个栅电极在第二方向上延伸，并且栅电极在第二方向上的延伸长度以阶梯方式从最下层级向最上层级增加；通道，延伸穿过栅电极结构的至少一部分；以及上基板，位于通道上。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件和包括该半导体器件的海量数据存储系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446983A
申请号 ：
CN202111083772.2
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-09-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄盛珉金智源安在昊任峻成成锡江
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
吴晓兵
优先权 ：
CN202111083772.2
主分类号 ：
H01L27/11565
IPC分类号 ：
H01L27/11565 H01L27/1157 H01L27/11573 H01L27/11575 H01L27/11582
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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