一种半导体器件，包括栅电极结构、沟道、划分图案、绝缘图案结构、通孔和支撑结构。栅电极结构在衬底上，并且包括在垂直于衬底的第一方向上堆叠的栅电极。栅电极中的每个栅电极在平行于衬底的第二方向上延伸。沟道延伸通过栅电极结构。划分图案在平行于衬底的第三方向上在栅电极结构的两侧中的每一侧处。绝缘图案结构延伸通过栅电极结构。通孔延伸通过绝缘图案结构。支撑结构延伸通过绝缘图案结构与划分图案之间的栅电极结构。支撑结构包括分别在第二方向和第三方向上延伸的第一延伸部分和第二延伸部分。