本发明公开了半导体器件和海量数据存储系统。该半导体器件包括栅电极结构、沟道、第一分割图案和第二分割图案。栅电极结构在基板上，并包括在垂直于基板的第一方向上堆叠的栅电极。每个栅电极在平行于基板的上表面的第二方向上延伸。沟道在第一方向上延伸穿过栅电极结构。第一分割图案在第二方向上彼此间隔开，并且每个第一分割图案在第二方向上延伸穿过栅电极结构。第二分割图案在第一分割图案之间，并且第二分割图案和第一分割图案一起在平行于基板并与第二方向交叉的第三方向分割第一栅电极。第二分割图案具有在平面图中为曲线的外轮廓。