存储器件和包括其的数据存储系统
公开
摘要
一种存储器件，包括：第一结构；以及在第一结构上的第二结构，其中第一结构包括：第一基板；在第一基板上的外围电路；第一绝缘层，覆盖第一基板和外围电路；第一接合焊盘，在第一绝缘层上，第二结构包括：第二基板；在第二基板的第一表面上的存储单元阵列；第二绝缘层，覆盖第二基板的第一表面和存储单元阵列；导电图案，至少部分地从第二基板的第二表面凹入；以及第二接合焊盘，在第二绝缘层上，第一接合焊盘接触第二接合焊盘，导电图案与第二绝缘层间隔开。
基本信息
专利标题 ：
存储器件和包括其的数据存储系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388489A
申请号 ：
CN202111199098.4
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄盛珉金智源安在昊任峻成成锡江
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
翟然
优先权 ：
CN202111199098.4
主分类号 ：
H01L25/18
IPC分类号 ：
H01L25/18 H01L27/11548 H01L27/11556 H01L27/11575 H01L27/11582 G11C16/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/18
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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