存储器及存储系统
实质审查的生效
摘要
本申请实施例提供一种存储器及存储系统，所述存储器包括：外围电路；存储区，位于所述外围电路的一侧；所述存储区包括多个存储阵列以及位于两个相邻的所述存储阵列之间的第一连接结构；其中，所述第一连接结构的两侧分别包括多个所述存储阵列；主导电线，从所述外围电路延伸至所述第一连接结构；所述主导电线的两端分别连接所述外围电路与所述第一连接结构；至少两条从导电线，分别连接所述第一连接结构，并在所述第一连接结构两侧的相互背离的方向延伸，连接对应的多个所述存储阵列。
基本信息
专利标题 ：
存储器及存储系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530174A
申请号 ：
CN202210073679.1
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-01-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘峻
申请人 ：
长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐雯
优先权 ：
CN202210073679.1
主分类号 ：
G11C11/401
IPC分类号 ：
G11C11/401 G11C11/4063 G11C16/04 G11C16/06 G06F3/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/401
申请日 : 20220121
申请日 : 20220121
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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