三维存储器及其制备方法、存储系统
实质审查的生效
摘要
本公开提供了三维存储器及其制备方法、存储系统。根据本公开的一种制备三维存储器的方法包括：在衬底的一侧上形成电介质堆叠结构，电介质堆叠结构包括核心区；在核心区形成贯穿电介质堆叠结构的沟道结构；形成辅助虚拟结构，辅助虚拟结构的至少部分位于核心区的边缘；以及形成贯穿电介质堆叠结构的共源极结构，辅助虚拟结构电隔离沟道结构和共源极结构。
基本信息
专利标题 ：
三维存储器及其制备方法、存储系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497064A
申请号 ：
CN202210123317.9
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-02-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
颜丙杰
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京英思普睿知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘莹
优先权 ：
CN202210123317.9
主分类号 ：
H01L27/1157
IPC分类号 ：
H01L27/1157 H01L27/11582 H01L27/11575
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/1157
申请日 : 20220210
申请日 : 20220210
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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