三维存储器、制备方法及存储系统
公开
摘要
本申请的实施方式提供了一种三维存储器、制备方法及存储系统。三维存储器可例如包括：第一堆叠结构，包括多个第一堆叠层，第一堆叠层包括导电层和层间绝缘层；多个第一接触部，从第一堆叠结构的第一表面穿过部分第一堆叠层并分别延伸至各自预定深度的导电层，以及，虚拟沟道结构，从第一堆叠结构的与第一表面相对的第二表面穿过第一堆叠层并延伸至导电层。本申请的实施方式可为虚拟沟道结构提供刻蚀停止层，提高三维存储器的良率。
基本信息
专利标题 ：
三维存储器、制备方法及存储系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613749A
申请号 ：
CN202210184194.X
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谢景涛颜丙杰周文犀王迪夏志良
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京英思普睿知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘莹
优先权 ：
CN202210184194.X
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538 H01L27/11556 H01L27/11582 H01L21/768 G11C16/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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