三维存储器、制备方法以及存储系统
实质审查的生效
摘要
本申请提供三维存储器、制备方法以及存储系统。三维存储器包括：第一选择栅结构；存储叠层，设置于第一选择栅结构上；第二选择栅结构，设置于存储叠层上；以及沟道结构，穿过第二选择栅结构、存储叠层和第一选择栅结构，其中沟道结构包括穿过存储叠层的电荷捕获层，以及穿过第一选择栅结构和第二选择栅结构中的至少之一的隔离层，隔离层与电荷捕获层在存储叠层的厚度方向连接。本申请将位于选择栅结构中的电荷存储区域替换为不具有存储电荷功能的虚设区域，可抑制因热载流子注入效应诱发的选择管阈值电压的偏移，提高三维存储器的擦除效率。
基本信息
专利标题 ：
三维存储器、制备方法以及存储系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497065A
申请号 ：
CN202210124007.9
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-02-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔莹贾建权远杰宋雅丽
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京英思普睿知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘莹
优先权 ：
CN202210124007.9
主分类号 ：
H01L27/1157
IPC分类号 ：
H01L27/1157 H01L27/11582 H01L25/18 H01L21/60
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/1157
申请日 : 20220210
申请日 : 20220210
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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