三维存储器及其制备方法、存储系统、电子设备
实质审查的生效
摘要
本申请提供了一种三维存储器及其制备方法、存储系统、电子设备。三维存储器的制备方法包括：交替叠置阻隔层和停止层以形成复合结构，其中所述停止层包括第一停止层；在所述复合结构上交替叠置绝缘层和牺牲层以形成叠层结构；形成沿所述叠层结构的层叠方向延伸的第一沟道孔以及贯穿所述叠层结构并延伸至所述第一停止层的第二沟道孔；以及刻蚀所述第一沟道孔以使所述第一沟道孔延伸至所述第一停止层。
基本信息
专利标题 ：
三维存储器及其制备方法、存储系统、电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334994A
申请号 ：
CN202111681450.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王庆陈金星范光龙汪严莉
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京英思普睿知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘莹
优先权 ：
CN202111681450.8
主分类号 ：
H01L27/11568
IPC分类号 ：
H01L27/11568 H01L27/11582
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11568
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
