本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，以降低存储单元之间的相互干扰，提高器件性能。半导体结构包括堆叠层、沟道结构和多个第二介质层。堆叠层包括交替叠置的多个第一介质层和多个栅极层。沟道结构贯穿堆叠层；第一介质层靠近沟道结构的边界，相较于栅极层靠近沟道结构的边界内缩。沿平行于堆叠层所在平面的方向，第二介质层位于第一介质层与沟道结构之间；沿垂直于堆叠层的所在平面的方向，第二介质层位于相邻的两个栅极层之间，第二介质层的介电常数小于第一介质层的介电常数。上述半导体结构应用于存储器中，以实现数据的读取和写入操作。