本公开提供了一种存储器结构、其制作方法、三维存储器及存储系统。该存储器结构包括：表面具有存储器阵列的第一衬底，第一衬底表面具有核心区域和外围电路区域，外围电路区域环绕核心区域，存储器阵列位于核心区域中；多个间隔设置的介电隔离结构，各介电隔离结构贯穿位于核心区域与外围电路区域之间的第一衬底，且各介电隔离结构环绕核心区域；介电连接部，贯穿第一衬底，且介电连接部连接相邻的介电隔离结构。上述存储器结构中具有多个间隔设置的介电隔离结构，且通过介电连接部连接，从而在介电隔离结构存在断开缺陷的情况下，能够通过介电连接部连接将核心区域和外围电路区域彻底隔离，从而减少缺陷引发的漏电问题，提高产品的可靠性。