半导体结构及其制作方法、存储器
实质审查的生效
摘要
本申请提供了一种半导体结构及其制作方法、存储器，该半导体结构包括：衬底，该衬底内包括呈阵列排布的多个有源区；埋入式字线，位于衬底内，且各个有源区与两个埋入式字线相交；凹槽，位于衬底的上表面，且位于各个有源区内的两个埋入式字线之间；位线接触层，填充上述凹槽；绝缘层，分布于两个凹槽之间，该绝缘层的上表面相对于衬底的上表面的厚度小于位线接触层的上表面相对于衬底的上表面的厚度；位线导电层，覆盖于位线接触层与绝缘层。本申请增大了位线导电层与位线接触层的接触面积，能够有效减小位线接触区域产生的接触电阻，提升存储器的性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制作方法、存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373757A
申请号 ：
CN202110083678.0
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-01-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘志拯
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
张娜
优先权 ：
CN202110083678.0
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20210121
申请日 : 20210121
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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