半导体结构及其制作方法、半导体存储器及电子设备
公开
摘要
本公开提供一种半导体结构及其制作方法、半导体存储器及电子设备。该制作方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成掩膜层；对掩膜层进行图形化，以形成第一掩膜图形；在第一掩膜图形上淀积氧化硅膜层；去除第一掩膜图形及其顶部的氧化硅膜层，从而形成氧化硅图形；贴着氧化硅图形的侧边形成氮化硅膜层，从而形成第二掩膜图形；以第二掩膜图形为掩膜，对半导体衬底进行图形化，以形成所述半导体结构。本公开中，通过氮化硅膜层来补强氧化硅图形，可使氧化硅图形顶部和底部之间的关键尺寸差异最小化，可消除氧化硅图形倾倒或剥落不良。可以最佳化氧化硅图形下方半导体衬底中膜层最终图形的关键尺寸。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制作方法、半导体存储器及电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628253A
申请号 ：
CN202011435880.7
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梁时元贺晓彬刘金彪杨涛李亭亭
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘广达
优先权 ：
CN202011435880.7
主分类号 ：
H01L21/308
IPC分类号 ：
H01L21/308 H01L21/8242 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/308
应用掩膜的
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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