半导体器件的制作方法、半导体器件及存储器
实质审查的生效
摘要
本发明实施例公开了一种半导体器件的制作方法、半导体器件及存储器。所述方法包括：提供基底以及位于所述基底上的多条金属线，所述多条金属线间隔分布；在所述多条金属线之间形成中空介质层；在所述金属线和所述中空介质层上形成层间介质层，所述层间介质层与所述中空介质层的刻蚀速率不同。本发明实施例能够至少部分避免金属线之间的空气隙被破坏，降低金属线之间的电容，提高半导体器件的工作效率。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制作方法、半导体器件及存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284209A
申请号 ：
CN202111650909.8
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
彭进郑祖辉向政姚祥王锐
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
孟霞
优先权 ：
CN202111650909.8
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/532
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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